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高频强电磁场中的氘氚聚变截面

报告人:段皓(北京应用物理与计算数学研究所)

时间:12月17日(周二)中午12:20-13:30 

地点:工学院1号楼210会议室

主持人:康炜研究员  北京大学应用物理与技术研究中心
  
报告简介:     

      轻核聚变是核物理理论与核能应用中的重要基本过程。由于核子间的强库伦排斥作用,克服库伦势垒需要聚变体系达到极高的温度,而隧穿库伦势垒的聚变截面也非常低。目前已有的为了提高聚变截面而提出的μ介子催化,核自旋极化等方法无法直接应用于聚变条件下的复杂等离子体环境中。随着近年来强激光技术的不断发展,光强可逐步达到1020W/cm2甚至更高,在这个一背景下,我们提出了一个强电磁场调控轻核聚变的方案。通过将氘氚聚变模型化为波包碰撞,势垒隧穿,聚变三个过程,采取KH变换和一维WKB近似,我们给出了时间平均核间势的解析形式和隧穿率空间分布的数值结果,建立了高频强激光场中轻核聚变的物理图像,得到了隧穿率空间分布的双谷结构,以及被有效增强了的聚变截面。

报告人介绍:

段皓,北京应用物理与计算数学研究所,助理研究员

Copyright: Center for Applied Physics and Technology, Peking  University Room 402, Engineering Building 1, Peking University, Bejing,  100871, China

Tel: 86-10-62753944      E-mail: ganqiumei@pku.edu.cn