报告人：王越超 特聘副研究员（北京应用物理与计算数学研究所）

报告内容：

过渡金属、镧系及锕系是金属与陶瓷材料的关键组元，其部分填充的d/f壳层在低压下表现出强电子关 联特征。当压力升高时，伴随电子关联强度的演化，材料往往经历d/f电子局域-巡游特性的转变，并诱发金 属-绝缘体相变、晶体结构失稳等多尺度相变行为。本报告介绍一种基于双屏蔽介电模型的第一性原理计算 方法，无需引入经验参数，即可定量描述从常压至数百GPa高压范围内的电子关联效应演化。该方法被应用 于3d/4f/5f金属及其化合物的宽压域物性模拟，通过定量自洽地获取压力依赖的电子关联强度，揭示了典型f电子金属中，关联强度的压致变化通过调控f电子与环境电子的杂化强度影响高压相结构的内在机制；同时 基于关联强度-磁性-晶格因素的耦合，提升了对MnO、NiO等过渡金属氧化物电子结构随压力演化的模拟合 理性，并提供了解读NiO压致绝缘体-金属相变的新视角。

报告人简介：

北京应用物理与计算数学研究所特聘副研究员。研究方向为d/f电子强关联体系第一性原理算法与极端 条件物性模拟研究。主持和参加国家自然科学基金青年科学基金项目和NSAF联合基金项目等，在高压材料 物理期刊Matter and Radiation at Extremes以及物理学主流期刊Physical Review系列和Journal of Physical Chemistry系列等发表学术论文20余篇

主持人：陈默涵 研究员（北京大学应用物理与技术研究中心）

时  间：2026年4月2日（周四）12:20

地  点：北京大学工学院1号楼210会议室